简要描述：半导体激光器采用量子阱结构的DFB激光器，内置半导体制冷器，标准封装工艺实现蝶形（butterfly）尾纤式封装，结构紧凑，体积小；激光器以功率稳定、波长稳定，高信价比而赢得客户的信赖，在光纤通信领域得到广泛应用

激光二极管正向电流

If(LD)

100

mA

激光二极管反向电压

Vr(LD)

2

V

背光探测器工作电流

If(PD)

2

mA

背光探测器反向电压

Vr(PD)

20

V

制冷器工作电流

ITEC

2.4

A

制冷器工作电压

VTEC

2.9

V

工作温度

Topr

-20~+70

℃

储存温度

Tstg

-40~+85

℃

引线焊接温度/时间

Tsld

260/10

℃/s

出光功率

PO

CW

3

10

mW

阈值电流

Ith

CW

-

12

18

mA

工作电流

Iop

CW,5mW

-

-

50

mA

工作电压

Vop

CW，5mW

-

1.5

2.0

V

斜率效率

η

CW，5mW

0.05

0.1

-

mW/mA

峰值波长

λp

CW,5mW@25℃

λc-1

λc

λc+1

nm

波长稳定度

λs

CW,5mW@25℃

-0.1nm

+0.1

dB

边模抑制比

SMSR

CW,5mW

35

-

-

nm

光谱宽度(20dB)

△λ

CW,5mW

-

0.2

nm/℃

波长随温度变化漂移系数

△λ/T

稳定工作电流

0.1

nm/℃

波长随电流变化漂移系数

△λ/I

稳定工作温度

0.01

nm/mA

热敏电阻

Rth

Ttherm=25℃

9.5

10

10.5

kΩ

O2

761nm、764nm (VCSEL)

HF

1268.7nm、1273nm、1278nm

H2O

1368.59nm、1392nm

NH3

1512nm

C2H2

1532.68nm

CO

1567nm

H2S

1578nm

Co2

1580nm、2.0um

C2H4

1620nm、1627nm

CH4

1647nm、1650.9nm、1653.7nm、1660nm

HCl

1742nm